《俞快訊》第三代半導體

《俞快訊》第三代半導體 
—自然科材料化學—

一．半導體的族譜
半導體原料
一共經歷了三個發展階段：
第一代以矽（Si）、鍺（Ge）等元素半導體為代表；
第二代為砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物半導體；
第三代則是氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等「寬帶」半導體為主。
第一代半導體由於材料的帶隙較窄，常見於早期的電晶體電腦；
第二代則大量應用於移動通信📱、光纖通信以及網際網路GPS📍；
第三代半導體則活躍於5G通信💨、新能源汽車🚗，因為碳化矽具有更寬的「禁帶」寬度。

二．「禁帶」是什麼碗糕？
禁帶在臺灣較普遍的說法是「能隙」(能量間隙)。因為半導體是「類金屬」，在某個溫度範圍內，隨溫度升高而增加電流⚡️，使得電導率上升、電阻率下降；在絕對零度時，成為絕緣體。
絕緣材料的能隙大於9電子伏特，而半導體的能隙大約介於1～3電子伏特。

三．走入生活
手機的快充與電動車其實都是第三代半導體的應用。你在用快充⚡️的時候，就是在享受半導體「大能隙」所帶來的「大電壓」的好處喔！

會考好難🤯、學測好累😔、分科要命😫，其實你活得下來，就代表能力💪🏻也提升了不是嗎？是吧！
殺不死你的，
必使你更加強大👍🏻。

—周俞自然科學團隊編撰—